Effets de structure de bandes et de désordre dans les alliages GaPxAsl-X : N et GaXAnl-XP
: N préparés par épitaxie en phase liquide / Henri Mariette, 1981. - Thèse d'Etat
: Sciences physiques : Paris 6 : 1981
Epitaxie de semiconducteurs II-VI:ZnTe/ZnSe et CdTe:Se : étude du confinement électronique
de type-II et du dopage isoélectronique[Thèse imprimée 2008]/Rita Najjar
Etude de l’incorporation de Bismuth lors de l’épitaxie par jets moléculaires de matériaux
antimoniures / Olivier Delorme ; sous la direction de Eric Tournié et Jean-Baptiste
Rodriguez, 2019 [Thèse]
Information trouvée : Examinateur (2019)
Mécanismes de formation des boîtes quantiques semiconductrices : application aux nanostructures
II-VI et étude de leurs propriétés optiques [thèse 2003] / Frank Tinjoux dit Tinjod