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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Plissard, Sébastien (1980-.... ; physicien)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    1980
Date de début d'activité : 2007
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Auteur d'une thèse de doctorat en micro et nanoélectronique (Grenoble INPG, 2007)

Note publique d'information : 
Chargé de Recherche au Laboratoire d'Analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Toulouse en 2014

Identifiants externes

Identifiant VIAF : https://viaf.org/viaf/202244661
Identifiant HAL : splissard
Identifiant ORCID : 0000-0002-0769-5429
Identifiant RESEARCHERID : B-4502-2012
Identifiant RESEARCHERID : KGD-1691-2024
Identifiant Wikidata : Q43914064
Identifiant SCOPUS : 35362693800
Identifiant ISNI : 0000000357859417

Source

Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires / Sébastien Plissard ; sous la direction de Engin Molva, 2007. - Thèse de doctorat : Micro et nanoélectronique : Grenoble INPG : 2007
Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) / Geoffrey Avit ; sous la direction de Evelyne Gil. Thèse de doctorat : Matériaux et Composants pour l'Electronique : Clermont-Ferrand 2 : 2014

... Références liées : ...