Croissance de GaN semipolaire par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur
substrats de Si structurés / Michel El Khoury Maroun ; sous la direction de Philippe
Vennéguès et Jesus Zúñiga-Pérez ; sous la co-direction de Guy Feuillet. Thèse de doctorat
: Physique : Nice : 2016
Information trouvée : co-directeur de thèse, membre du jury
Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI)
/ Rami Mantach ; sous la direction de Philippe Vennéguès et Guy Feuillet. Thèse de
doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2019
Information trouvée : co-directeur de thèse
Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode
aux hydrures (HVPE) / Geoffrey Avit ; sous la direction de Evelyne Gil. Thèse de doctorat
: Matériaux et Composants pour l'Electronique : Clermont-Ferrand 2 : 2014
Mécanismes de structuration et de dopage au chlore dans le CdTe polycristallin / Vincent
Consonni ; sous la dir. de Guy Feuillet, 2008