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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Feuillet, Guy (19..-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Ingénieur de Recherche, CRHEA-CNRS, Valbonne (06) en 2014

Note publique d'information : 
Directeur de thèse à l'Institut national polytechnique de Grenoble, en poste au CEA-LETI

Identifiants externes

Identifiant SCOPUS : 57204985078

Source

Croissance de GaN semipolaire par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur substrats de Si structurés / Michel El Khoury Maroun ; sous la direction de Philippe Vennéguès et Jesus Zúñiga-Pérez ; sous la co-direction de Guy Feuillet. Thèse de doctorat : Physique : Nice : 2016

Information trouvée : co-directeur de thèse, membre du jury

Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI) / Rami Mantach ; sous la direction de Philippe Vennéguès et Guy Feuillet. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2019

Information trouvée : co-directeur de thèse

Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) / Geoffrey Avit ; sous la direction de Evelyne Gil. Thèse de doctorat : Matériaux et Composants pour l'Electronique : Clermont-Ferrand 2 : 2014

Mécanismes de structuration et de dopage au chlore dans le CdTe polycristallin / Vincent Consonni ; sous la dir. de Guy Feuillet, 2008

... Références liées : ...