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Identifiant pérenne de la notice : 160314135Copier cet identifiant (PPN)
URI de l'entité : http://www.idref.fr/160314135/idCopier cet URI
Notice de type Rameau

Point d'accès autorisé

Transistors à effet de champ à dopage modulé

Variantes de point d'accès

HEMT
[Nom commun]
High Electron Mobility Transistor
[Nom commun]
MODFET
[Nom commun]
MOdulated-Doping Field Effect Transistor
[Nom commun]
Transistors à électron à haute mobilité
[Nom commun]

Source

Physique des dispositifs électroniques / M. Savelli, D. Gasquet, B. Orsal [in] Techniques de l'ingénieur, 1996, E1100
Traité des matériaux. v. 18, Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995

Identifiants externes

Identifiant ARK BNF : http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb166125483

Utilisation dans Rameau

Le point d'accès ne peut être employé que dans un point d'accès sujet
Le point d'accès ne peut s'employer qu'en élément initial

Informations sur la notice

Identifiant de la notice : 160314135
RCR créateur de la notice : 335222101
Date de création : 13-04-2012
RCR dernier modificateur de la notice : 335222101
Date de dernière modification : 25-11-2019 à 14 h 25

... Références liées : ...