Note publique d'information : Le premier objectif de cette thèse était d'étudier les performances en micro-ondes
de MOSFET intégrés en technologie Silicium-Sur-Isolant (SOI) dont les dimensions minimales
sont inférieures à 0,13 µm. Le second objectif était de montrer leurs potentialités
au sein de circuits intégrés à faible consommation, fonctionnant dans les micro-ondes,
c'est-à-dire de quelques GHz à quelques dizaines de GHz, et même au-delà. Ainsi, ce
mémoire montre les possibilités ainsi que les limites de cette technologie de part
une analyse du fonctionnement des MOSFET SOI partiellement désertés dans les micro-ondes,
accompagnée, en parallèle, d'une étude du bruit micro-ondes intrinsèque. Ce manuscrit
indique également les impacts des différents effets parasites sur le fonctionnement
dans les micro-ondes des MOSFET SOI en fonction de las tructure des composants utilisés.
L'étude s'achève sur une analyse des potentialités ainsi que du comportement des futures
structures en technologie Silicium-Sur-Isolant
Note publique d'information : First goal of this thesis was to study the microwaves performances of integrated MOSFET
made by Silicon-On-Insulator technology (SOI) whose low size limits are lower than
0,13 µm. Second goal was to show their potentialities within low power microwaves
integrated circuits from some GHz to a few tens of GHz, and much more. Thus, this
report shows the possibilities as well as the limits of this technology with an analysis
of microwaves behavioural of partially deserted SOI MOSFET, and, in parallel, a study
of microwaves intrinsic noise. This manuscript also indicates impacts of various parasitic
effects on SOI MOSFET microwaves behavioural, according to the components structure.
The study finished with an analysis of potentialities as well as behaviour of new
Silicon-On-Insulator devices.
paprika.idref.fr
data.idref.fr
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