Note publique d'information : Nous avons effectué une expérience au GANIL avec un faisceau d'ions Pb72+ et Pb56+
à 29 MeV/u et Pb28+ à 6,5 MeV/u. Nous avons observé la pulvérisation d'ions positifs
à l'entrée d'un cristal de germanium mince en fonction de la charge incidente et en
fonction de la perte d'énergie des ions transmis. Nous avons trouvé que la pulvérisation
est essentiellement formée des ions qui viennent de la couche d'impuretés en surface
et de la fragmentation des grandes espèces émises. Pour un dépôt d'énergie donné sous
la couche amorphe, la dépendance de la multiplicité avec la charge q est en qn avec
n3. La dépendance des rendements avec la charge est en qn, où n varie entre 2 et
6 selon l'espèce émise. Pour une charge incidente donnée, nous avons observé des effets
différentiels, en fonction de la perte d'énergie dans le cristal, sur les multiplicités,
sur les rendements, ainsi que sur la probabilité de la fragmentation. L'intensité
de ces effets est presque constante pour l'ensemble des espèces émises dans le cas
à haute énergie. A basse énergie, cet effet varie d'une espèce à une autre, et, globalement,
il est plus fort qu'à haute énergie. Ces effets sont liés à la fois à la profondeur
d'émission de chaque espèce, et à la densité du dépôt d'énergie autour de la trajectoire
de l'ion sous la couche amorphe. A travers des simulations effectuées à haute énergie,
nous avons trouvé que les effets différentiels sur la multiplicité sont moins forts
en fonction de la perte d'énergie des ions à l'entrée du cristal qu'en fonction de
leur perte d'énergie dans le cristal
Note publique d'information : We have performed an experiment at GANIL with a beam of Pb72+ and Pb56+ ions at 29
MeV/u and Pb28+ at 6,5 MeV/u. We observed the sputtering of positive ions at the entrance
of a thin germanium crystal as a function of the incident charge and of the energy
loss of the transmitted ions. We found that the sputtering is composed mainly of ions
which come from the surface impurity layers, and from the fragmentation of large species.
For an energy deposition below the amorphous layer, the dependence of the multiplicity
on the charge q is qn where n3. The dependence of the yields on the charge is qn,
where n varies between 2 and 6 depending on the emitted species. For a particular
incident charge, we observed differential effects with the energy loss in the crystal,
for the multiplicities, the yields and the fragmentation probability. The intensity
of these effects is almost constant for all species issued in the case of the high
energy beam. At low energy, this effect varies from one species to another, and, in
the average, it is stronger than at high energy. These effects are related both to
the emission depth for each species and to the density of energy deposition around
the ion path below the amorphous layer. By means of simulations performed for the
high energy case, we found that the differential effect on the multiplicity is weaker
as a function of ion energy loss at the entrance of the crystal than as a function
of their energy loss in the crystal
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