Identifiant pérenne de la notice : 218279914
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : La reduction de l'epaisseur d'oxyde de grille permet d'ameliorer les performances
du transistor mos, mais cette demarche se heurte a des contraintes enormes : effondrement
de la duree de vie de l'oxyde, fort courant de fuite a travers la grille par effet
tunnel. L'existence d'une epaisseur limite, que nous evaluons a 15a, impose une optimisation
de la grille afin d'augmenter par ailleurs le couplage capacitif entre grille et canal.
Les limites de la grille en polysilicium sont passees en revue. Nous constatons l'inefficacite
des solutions traditionnelles pour reduire la depletion de grille, due a la penetration
de bore dans l'oxyde du pmos. Nous demontrons que le depot d'une grille en polysilicium
colonnaire a grains fins reduit la depletion, sans penetration de bore. Nous montrons
qu'associer cette option avec une reduction de la hauteur de grille et une nitruration
fine de l'oxyde permet de s'affranchir du predopage de la grille du pmos. Nous demontrons
enfin que le polysilicium-germanium permet de franchir les limites d'activation des
dopants dans le polysilicium. L'interet de remplacer la grille en polysilicium par
une grille metallique mid-gap est evalue. Nous demontrons que le canal enterre degrade
plus les caracteristiques des transistors courts que la depletion de grille, du fait
du canal enterre. Enfin, nous considerons la grille enrobante. Nous demontrons qu'elle
permet de relacher la contrainte d'amincissement de l'oxyde de grille, du fait d'une
conduction multipliee par le nombre d'interfaces, voire grace a une immunite accrue
face aux effets canaux courts. Nous proposons le transistor vertical comme support
technologique d'une telle architecture. Nous discutons sa faisabilite a des dimensions
tres courtes et detaillons les differents points de son assemblage. Enfin, nous caracterisons
les dispositifs obtenus et nous soulignons le potentiel de cette architecture pour
l'integration des transistors mos ultra courts.
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Documentation
