Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV, Application au système SI::(X) SN::(1-X)

Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV, Application au système SI::(X) SN::(1-X)

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Identifiant pérenne de la notice : 245946349

URI de l'entité : http://www.idref.fr/245946349/id

Notice de type Notice de regroupement

Point d'accès autorisé

Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV, Application au système SI::(X) SN::(1-X)

Variante de point d'accès

Transport properties of group IV amorphous semiconducting compounds at low temperature : case of SI::(X)SN::(1-X)

[Notice de regroupement]

Information

Langue d'expression : français

Date de parution : 1986

Notes

Note publique d'information :

Étude des mécanismes de transport par diffusion entre états localisés. L'effet de la température, de l'épaisseur des échantillons, du recuit a été examiné dans le cadre des théories existantes. Deux domaines de température ont été mis en évidence : au-dessus de 30 K, le modèle du petit polaron, reproduit bien les résultats expérimentaux, tandis qu'au dessus de 100 K, l'accord est bon avec le modèle de pollack inspiré de la théorie de Mott complétée

Notices d'autorité liées

Informations sur la notice

Identifiant de la notice : 245946349

RCR créateur de la notice : 0499

Date de création : 07-07-2020

RCR dernier modificateur de la notice : 0499

Date de dernière modification : 18-12-2023 à 02 h 21

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