Identifiant pérenne de la notice : 24617000X
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : NOUS ETUDIONS L'OXYNITRURATION DE SI(100) PAR NO STIMULEE PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS
DE FAIBLE ENERGIE, A TEMPERATURE MODEREE (AMBIANTE - SIX CENT DEGRES). A L'AIDE DE
CINETIQUES DE CROISSANCE REALISEES PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS AUGER, NOUS DETERMINONS
LES PARAMETRES GOUVERNANT CETTE REACTION. NOUS DETAILLONS LEUR INFLUENCE SUR LA COMPOSITION
ET SUR LA VITESSE DE FORMATION DES FILMS D'OXYNITRURE DE SILICIUM. NOUS PRESENTONS
UN MODELE DE CROISSANCE, BASE SUR DES TRAVAUX PUBLIES, QUI PERMET DE DECRIRE NOS OBSERVATIONS
EXPERIMENTALES. IL REPOSE SUR UN MECANISME DE DIFFUSION D'ESPECES IONISEES SOUS CHAMP
ELECTRIQUE. CES ESPECE SONT DES IONS O#- CREES PAR L'IMPACT DES ELECTRONS SECONDAIRES,
OU DES IONS NO#- CREES PAR UN TRANSFERT D'ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT. QUELLE QUE
SOIT LA TEMPERATURE, NOUS CONSTATONS UN ARRET DE LA CROISSANCE DU FILM. NOUS L'ATTRIBUONS
A UN BLOCAGE DE LA DIFFUSION DU A UNE ACCUMULATION D'AZOTE A L'INTERFACE, AINSI QU'A
UN PHENOMENE DE DESORPTION STIMULEE PAR ELECTRONS. CE DERNIER SEMBLE ETRE IMPORTANT
AUX PLUS HAUTES TEMPERATURES. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES
DE NOS ISOLANTS. NOUS MESURONS LEUR LARGEUR DE BANDE INTERDITE PAR SPECTROSCOPIE DE
PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS. NOUS COMPARONS NOS RESULTATS AVEC DES CALCULS
DE DENSITES D'ETATS ELECTRONIQUES AINSI QU'AVEC DES MESURES D'ABSORPTION OPTIQUES
EFFECTUEES SUR DES OXYNITRURES PLASMA. ENFIN, NOUS CARACTERISONS ELECTRIQUEMENT NOS
FILMS EN REALISANT DES STRUCTURES MIS. LE METAL EST, DANS NOTRE CAS, REMPLACE PAR
UN ELECTROLYTE CONDUCTEUR POUR EVITER DES PROBLEMES DE METALLISATION. MALGRE LES FAIBLES
EPAISSEURS DE NOS OXYNITRURES, NOUS OBTENONS DES COURBES C(V) TYPIQUES DE STRUCTURES
MIS. NOUS EN DEDUISONS DONC DES DENSITES DE CHARGES ET DE PIEGES. LES COURBES I(V)
SONT PLUS DIFFICILES A INTERPRETER. LES FAIBLES COURANTS DE FUITE QUE NOUS OBSERVONS
NE PEUVENT ETRE ATTRIBUES AVEC CERTITUDE A UN MECANISME SIMPLE.
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