Identifiant pérenne de la notice : 259661902
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : L'étude du mode de croissance des interfaces formées par des dépôts de cérium sur
un substrat Fe (100) a permis de dégager deux comportements limites: à 650°C le fer
et le cérium interdiffusent fortement pour former un compose épitaxie à valence intermédiaire
de stœchiométrie proche de Ce2 Fe17. La surface est enrichie en cérium et présente
une structure (2 2) R 45° par rapport à la maille du substrat. Pour des dépôts réalisés
à température ambiante, la croissance du cérium s'effectue sans interdiffusion dans
un mode couche par couche. Au cours de cette croissance, la première monocouche se
développe avec une structure électronique trivalente et transite vers une phase valence
intermédiaire fortement hybridée à partir de la formation de la seconde monocouche.
Cette phase reste néanmoins limitée à deux ou trois monocouches et modifie les états
du fer à l'interface. Enfin, les mesures d'absorption X et de dichroïsme circulaire
magnétique réalisées aux seuils M4 et M5 du cérium dans les multicouches Ce/Fe ont
montré l'existence d'un moment d'origine 4f sur le cérium. De plus, l'analyse du signal
de dichroïsme à partir de calculs réalisés par F. de Groot a permis de montrer la
nécessité de décrire l'état fondamental dans ses systèmes à partir d'un mélange des
configurations j = 5/2 et j = 7/2
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Documentation
