Andrieu, Stéphane (1963-.... ; auteur en microélectronique)

Andrieu, Stéphane (1963-.... ; auteur en microélectronique)

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Identifiant pérenne de la notice : 05958145X

URI de l'entité : http://www.idref.fr/05958145X/id

Notice de type Personne

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Andrieu, Stéphane (1963-.... ; auteur en microélectronique)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)

Langue d'expression : français

Pays : France

Date de naissance : 1963

Date de début d'activité : 1990

Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information :

Auteur d'une thèse en physique (Grenoble 1, 1990). Spécialiste de l'épitaxie sur silicium.

Note publique d'information :

Chercheur au Laboratoire de physique des matériaux (LPM) à Nancy en 2001. Jury de thèse à Grenoble

Affiliation institutionnelle

Membre de Université de Lorraine (2012-....) (en 2024)

Membre de Institut Jean Lamour (Nancy ; Vandoeuvre-lès-Nancy ; Metz) (en 2024)

Identifiants externes

Identifiant ORCID : 0000-0003-0373-8193

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/24884229

Identifiant HAL : stephane-andrieu-ijl

Identifiant SCOPUS : 7005393150

Identifiant ARK BNF : http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb150411575

Identifiant ISNI : 0000000004894954

Source

Epitaxie de films minces métalliques : (i) relaxation élastique pendant la croissance pseudomorphe, (ii) épitaxie d'hétérostructures NiMnSb/MgO/NiMnSb pour l'électronique de spin / Pascal Turban ; sous la direction de Stéphane Andrieu.- (Th. : Physique et chimie de la matière et des matériaux : Nancy 1 : 2001)

Internet, http://catalogue.bnf.fr, Bibliothèque nationale de France, 2010-02-25

Information trouvée : né en 1963

Le dopage du silicium en épitaxie par jets moléculaires / Stéphane Andrieu ; sous la direction de JACQUES DERRIEN, 1990. - Thèse de doctorat : Physique. Micro-électronique : Grenoble 1 : 1990 ; 64

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