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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Fourmond, Erwann

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Ingénieur à l'INSA de Lyon. Maître de Conférence. Titulaire d'un doctorat en Matière condensée, surfaces et interfaces (INSA Lyon, 2002)

Note publique d'information : 
En poste au laboratoire INL, INSA Lyon

Note publique d'information : 
Directeur de thèse préparée au Laboratoire Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), et soutenue à l’INSA de Lyon (depuis 2021...)

Identifiants externes

Identifiant HAL : erwann-fourmond
Identifiant ORCID : 0000-0003-2832-5678
Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/218256473
Identifiant SCOPUS : 23466661600
Identifiant ISNI : 0000000351940337

Source

Development of Microcrystalline Germanium and Silicon-Germanium Thin Films for Above-IC Near Infrared Image Sensors / par Alestair Wilson ; sous la dir. de Erwann Fourmond [Thèse doctorat : Electronique, micro et nano-électronique, optique et laser : Lyon, INSA : 2023]

Information trouvée : Directeur de thèse

Développement de techniques de dépôt plasma et photo assistées pour la réalisation de couches antireflets passivantes en SiNx:H sur silicium pulticristallin pour applications photovoltai͏̈ques / par Erwann Fourmond ; sous la dir. d'André Laugier [Thèse doctorat : Matière condensée, surfaces et interfaces : Lyon, INSA : 2002]

Influence of SHJ silicon heteroJunction cells heterogeneities on their performances / par Valentin Giglia ; sous la dir. de Erwann Fourmond [Thèse doctorat : Électronique, micro et nanoélectronique, optique et laser : Lyon, Université de Lyon : 2021]

Information trouvée : Directeur de thèse

... Références liées : ...