CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION DE L'IGBT EN COMMUTATION A ZERO DE COURANT / STEPHANE
LEFEBVRE; Thèse de doctorat,SCIENCES APPLIQUEES,ENS CACHAN, 1994
Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance / Stéphane Lefebvre
; Francis Miserey. - 2004
Design, Conception, and Fabrication of High-Voltage Bipolar Devices based on 4H-SiC
/ par Ali Ammar ; sous la dir. de Dominique Planson [Thèse doctorat : Electronique
de Puissance : Lyon, INSA : 2023]
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