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Lefebvre, Stéphane (19..-.... ; enseignant-chercheur en électronique)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Date de début d'activité : 1994
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Agrégé de génie électrique, docteur d'état (1994), maître de conférences au CNAM, travaille au laboratoire SATIE (CNRS - UMR 8029) (Systèmes et applications des technologies de l'information et de l'énergie) de Cachan (en 2016)

Note publique d'information : 
Rapporteur lors d'une thèse soutenue à l'INSA Lyon en 2023

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/207067853
Identifiant HAL : stephane-lefebvre
Identifiant SCOPUS : 57193740459

Source

CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION DE L'IGBT EN COMMUTATION A ZERO DE COURANT / STEPHANE LEFEBVRE; Thèse de doctorat,SCIENCES APPLIQUEES,ENS CACHAN, 1994

Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance / Stéphane Lefebvre ; Francis Miserey. - 2004

Design, Conception, and Fabrication of High-Voltage Bipolar Devices based on 4H-SiC / par Ali Ammar ; sous la dir. de Dominique Planson [Thèse doctorat : Electronique de Puissance : Lyon, INSA : 2023]

Information trouvée : Rapporteur

... Références liées : ...