Architecture avancées des transistors FinFETs : Réalisation, caractérisation et modélisation
/ Romain Ritzenthaler, 2006
Caractérisation et modélisation du fonctionnement des transistors MOS ultra-submicroniques
fabriqués sur films SIMOX très minces / OLIVIER FAYNOT ; sous la direction de Sorin
Cristoloveanu, 1995.- Thèse de doctorat : Physique des composants à semiconducteurs
: Grenoble INPG : 1995
http://www.st.com/web/en/press/fr/t3371
Information trouvée : 20160210