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URI de l'entité : http://www.idref.fr/128170794/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Cordier, Yvon (19..-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat en Électronique (Lille 1, 1992)

Note publique d'information : 
Directeur de recherche au sein du Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA, Valbonne)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/173155568
Identifiant ORCID : 0000-0003-3720-9409
Identifiant SCOPUS : 57205898580
Identifiant ISNI : 0000000355943068

Source

Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons / par Sylvain Joblot ; sous la direction d'Yvon Cordier, 2007 [thèse, Nice]
Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III / Roy Dagher ; sous la direction d'Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2017

Information trouvée : directeur de thèse, membre du jury
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs / Yvon Cordier [thèse]
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn ; sous la direction de Vincent Aimez et Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2016

Information trouvée : Co-directeur de thèse, membre du jury
Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence / par Paul Leclaire ; sous la direction de Didier Théron et la co-direction de Marc Faucher et Yvon Cordier, 2015 [thèse, Lille 1]
Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium / par Nicolas Baron ; sous la direction de Yvon Cordier, 2009 [thèse, Nice]
Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN / Soumaya Latrach ; sous la direction d'Yvon Cordier et Hassen Maaref. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2018

Information trouvée : directeur de thèse
Étude de l’incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur / Ionela Roxana Arvinte ; sous la direction de Marcin Zielinski et Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique des matériaux : Côte d'Azur : 2016

Information trouvée : Co-directeur de thèse, membre du jury

... Références liées : ...