Temçamani, Farid (19..-.... ; chercheur en électronique)

Temçamani, Farid (19..-.... ; chercheur en électronique)

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Identifiant pérenne de la notice : 129557366

URI de l'entité : http://www.idref.fr/129557366/id

Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Temçamani, Farid (19..-.... ; chercheur en électronique)

Nom de mariage

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)

Langue d'expression : français

Pays : France

Date de naissance : 19XX

Genre : Féminin

Notes

Note publique d'information :

Auteur d'une thèse de doctorat en électronique à l'Université de Lille 1 en 1990

Note publique d'information :

Directeur de thèse, professeur des universités en poste à l’ENSEA -École Nationale Supérieure de l'Électronique et de ses Applications, Université de Cergy-Pontoise (en 2021)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/173209384

Identifiant SCOPUS : 6603105685

Identifiant ISNI : 0000000355958657

Source

Fiabilité des systèmes mécatroniques : expérimentation et modélisation, application sur les HEMTs GaN / Ghada Mahmoud ; sous la direction de Abdelkhalak El Hami et Olivier Latry. Thèse de doctorat : Génie mécanique : Normandie : 2020

Information trouvée : Professeur des universités à l’ENSEA. Rapporteur et membre du jury de la thèse.

Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences / Farid Temçamani ; sous la direction de Yves Crosnier. Thèse de doctorat : Électronique : Lille 1 : 1990

... Références liées : ...