LaAIO3 amorphe déposé par Epitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative
pour la grille high-k des transitors CMOS / par Sylvain Pelloquin ; dir. par Guy Hollinger
et Carole Plossu [Thèse de doctorat : Dispositifs de l'électronique intégrée : Lyon,
INSA : 2011]