Caractérisation in situ par ellipsométrie et photoluminescence de l'interaction de
plasmas multipolaires d’hydrogène et d'azote avec la surface (100) de GaAS / par Daniel
Arnoult ; sous la dir. de JB. Theeten [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA
: 1986]
Mécanismes physiques dus a l'interface diélectrique semiconducteur dans le fonctionnement
des transistors a effet de champ sur arséniure de gallium / Daniel Benarroche ; sous
la dir. de J.B. Theeten, 1985