Identifiant pérenne de la notice : 246191090
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : L'objectif de cette these est d'etudier les composants mos des technologies silicium
sur isolant (soi) dans une large gamme de temperature pour caracteriser et modeliser
les mecanismes physiques specifiques de ces transistors en vue d'applications conventionnelles
et a basse temperature (cryomicroelectronique). Une synthese des techniques pour la
realisation de l'isolation dielectrique est d'abord presentee, puis l'interet de telles
structures est rappele. Le deuxieme chapitre est relatif au comportement des principaux
parametres electriques des tmos en fonction de la temperature t, de l'ambiante jusqu'a
une temperature proche de l'helium liquide. Dans le troisieme chapitre, une modelisation
des principaux mecanismes physiques des tmos/soi dans diverses gammes de temperature
a ete realisee. Les phenomenes de verrouillage (latch) et de claquage sont presentes.
Un modele pour l'effet d'auto-echauffement permettant d'extraire la resistance thermique
et l'exces de temperature en fonction de t est propose. Le dibl est ensuite etudie
en fonction de t. Une analyse detaillee du courant gidl est egalement presentee en
se basant sur le calcul exact de la transparence w.k.b. Et la reduction tres forte
du courant gidl a basse temperature est soulignee. Enfin, la reduction de la degradation
par porteurs chauds en mode d'inversion volumique a ete montree. Le dernier chapitre
est consacre a l'etude du bruit electrique basse frequence dans les composants simox
controles par une ou deux grilles. Les sources de bruit ont ete determinees, l'influence
de l'effet kink a egalement ete etudiee et un programme de simulation numerique a
ete developpe et utilise afin de mieux comprendre les mecanismes physiques a l'origine
du bruit electrique dans les transistors mos/soi a films minces
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Documentation
