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Identifiant pérenne de la notice : 281236658Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Srinivasan, Lakshman (1997-....)
Nom à l'état civil

Sur le web

Information

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Langue d'expression : anglais
Pays : Inde
Date de naissance :    1997
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Auteur d'une thèse en Physique à Institut polytechnique de Paris en 2024

Identifiants externes

Source

Low temperature plasma deposition of III-V semiconductors (GaN) on Si / Lakshman Srinivasan ; sous la direction de Pere Roca i Cabarrocas. Thèse de doctorat : Physique : Institut polytechnique de Paris : 2024

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